IRLL014NPBFMOSFET N-CH 55V 2A SOT223

55V漏源电压,FET晶体管,IRLL014NPBF
IRLL014NPBFMOSFET N-CH 55V 2A SOT223
制造商：Infineon Technologies
制造商零件编号：IRLL014NTRPBF
描述：MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述：表面贴装-N-沟道-pval-2068-2A（Ta）-1W（Ta）-SOT-223
零件状态：在售
类别：分立半导体产品
产品族：晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列：HEXFET
规格
FET 类型：【N 沟道】
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：【55V】
电流 - 连续漏较（Id）（25°C 时）：【2A（Ta）】
驱动电压（较大 Rds On，较小 Rds On）：【4V，10V】
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（较大值）：【140 毫欧 @ 2A，10V】
不同 Id 时的 Vgs（th）（较大值）：【2V @ 250μA】
不同 Vgs 时的栅较电荷 （Qg）（较大值）：【14nC @ 10V】
Vgs（较大值）：【±16V】
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（较大值）：【230pF @ 25V】
功率耗散（较大值）：【1W（Ta）】
工作温度：【-55°C ~ 150°C（TJ）】
安装类型：表面贴装
封装/外壳：【TO-261-4，TO-261AA】